作为一个研发岗位，从事硅基氮化镓芯片工艺技术的开发，实现新型的氮化镓功率器件。职责描述：与器件工程师相配合，通过合理的工艺实现硅上GaN电子器件；
参与至少如下部分工艺流程：光刻、薄膜、热处理、干刻、湿刻、减薄、CMP、电镀等，可以负责其中部分工艺或模块；
分析器件性能与工艺流程的关系，优化工艺与器件性能；
任职要求：要求具有3年以上的GaNLED或集成电路工艺经验，从事过上述部分工艺流程；
要求应聘者有深入的研究精神和自我驱动力，敢于创新；
有很好的材料学、电子学、化学或物理学背景，能深入分析并解决问题；
有利用统计学工具分析数据能力的更佳；
有很好的学习能力和团队合作精神；
良好的职业操守，包括保守公司的机密与维护公司的权益等；