功率半导体等专业硕士及以上学历；
MasterdegreeoraboveinPowerSemiconductororrelatedarea.具备功率半导体（IGBT、Mosfet、Diode、SiC）实际开发经验，工作经验大于5年；
Morethan5years’experienceinpowerchip(IGBT,Mosfet,Diode,SiC)development.精通IGBT或SiCMOSFET工艺设计；
ProficiencyinIGBTorSiCMOSFETdesign.熟悉功率芯片考核与认证；
Familiarwithpowerchipverification,reliabilityevaluation熟悉功率芯片失效分析，如设备、原理、流程等；
Familiarwithchipfailureanalysis,likeequipment,principle,andprocessandetc.熟悉功率芯片的测试，筛选，可靠性评估及开发流程等；
Responsibleforpowerchiptesting,screening,reliabilityevaluation,workflowandetc.诚实、积极主动、创新、具备快速学习能力；
Behonest,active,innovativeandquicklearner.良好的沟通，团队合作及英语水平;Goodcommunication,teamworkandEnglishskills.