职责描述：
1、负责各种功率器件（IGBT、MOSFET、FRD）的技术开发工作；
2、负责功率半导体器件设计及仿真，版图设计及工艺设计；
3、负责产品开发试验的制定及实施；
4、负责公司新工艺平台规划与开发工作；
5、负责公司相关芯片的布局设计与开发工作；
6、新产品量产导入以及提升新产品良率；
任职要求：
1、本科及以上学历，微电子/电子工程/电子科学等相关专业；
2、熟悉半导体物理，半导体制程及电子电路相关知识；
3、熟悉IGBT、MOS等功率半导体器件的性能和特点；
4、5年以上功率MOSFET、IGBT、FRD、IPM设计经验。
联系我时就说是在 赞业网 上看到的
职位发布者
冉景平
人事部
最近在线时间：2023-02-09 11:02
地址：广东省东莞市南城街道三元路4号保利都汇大厦1栋1单元1811室 查看上班地址
50011802010409
