芯片设计工程师

1、负责功率芯片(IGBT,SiCMOSFET,superjunction等)相关的新技术，材料，工艺调研与开发；
Responsibleforresearchanddevelopmentofnewtechnologies,materialsandprocessesrelatedtopowerdevices(IGBT,SiCMOSFET,superjunction,etc.).2、负责芯片性能，良率，可靠性等相关的工艺问题；
Responsibleforpowerdevicerelatedprocessissues,includingperformance,yield,andreliability.3、负责功率芯片的工艺，测试，筛选，可靠性评估等能力建设和流程建立；
Responsibleforpowerchipprocess,testing,screening,reliabilityevaluationandothercapacitybuildingandworkflowestablishment.4、负责针对实际应用需求进行工艺和设计优化，以及相关的特殊定制；
Responsibleforprocessanddesignoptimizationaccordingtoactualapplicationrequirements,aswellasrelatedspecialcustomization.5、负责和芯片制造供应商定期沟通，保证芯片开发的进度和质量；
Responsibleforregularcommunicationwithfoundrysupplierstoensuretheprogressandqualityofproductdevelopment.
工作要求
1、功率半导体等专业硕士及以上学历；
MasterdegreeoraboveinPowerSemiconductororrelatedarea.2、具备功率半导体（IGBT、Mosfet、Diode）实际开发经验，工作经验大于3年；
Morethan3years’experienceinpowerchip(IGBT,Mosfet,Diode)development.3、精通MOSFET芯片设计或者工艺设计；
ProficiencyinPowerMOSFETdesignorprocess.4、熟悉芯片考核与认证；
Familiarwithchipverification,reliabilityevaluation5、熟悉芯片失效分析，如设备、原理、流程等；
Familiarwithchipfailureanalysis,likeequipment,principle,andprocessandetc.6、诚实、积极主动、创新、具备快速学习能力；
Behonest,active,innovativeandquicklearner.7、良好的沟通，团队合作及英语水平。Goodcommunication,teamworkandEnglishskills.